当前位置:小说坊>综合其他>重生之军工霸主> 第1019章透视历史
阅读设置(推荐配合 快捷键[F11] 进入全屏沉浸式阅读)

设置X

第1019章透视历史(6 / 6)

1981年,华夏科学院半导体研究所成功研制出了dr。

1982年,4013所推出华夏第一块砷化镓集成电路芯片;同年,109厂研制成功kh751光刻机,

1983年,无锡742厂从东芝引进的3英寸5微米电视机集成电路生产线通线投产,这是华夏第一次从国外成建制引进集成电路生产线也是华夏首次实现了集成电路工业化大规模生产。

也是在这一年,三星电子正式进军存储器行业。

1985年,电子部4045所研制成功分步式光刻机样机,通过电子部技术鉴定,认为达到米国4800ds的水平,其采用的是436纳米g线光源,可加工的集成电路图形线宽为05μ级,与米国的差距不超过7年,落后一代。

由此可见,此刻的华夏,已经基本具备了生产半导体器件的全产业链。

这一年,华夏集成电路年产量约为5400万块,同年进口集成电路达到了2亿块,国产芯片的市场占有率超过20。

同样的,如果没有谭振华的乱入,英特尔将在这一年的ces展会之后,宣布退出dr市场,专注于cu领域,但现在么,80386可没有取得历史上的那种轰动般的成功,反而被构架开放的“is”在市场上杀得落花流水,英特尔只好捏着鼻子与谭振华签了城下之盟,在经过一番讨价还价之后,加入了“idoor”联盟。

当时签字的时候谭振华心里还挺惋惜的,这样一来,那什么“奔腾”啊,“酷睿”啊,不就没机会出现了

由刚才所述的这段历史可见,到去年为止,华夏的半导体工业水平与世界先进水平的差距有限,在可望见对手项背的范围之内,属于努努力就能跟上对手的步伐甚至有可能赶上的范畴可这一切良好的形势,在谭振华上一世的历史中,于1986年急转直下重生之军工霸主微信关注“优读文学”看小说,聊人生,寻知己~

上一页 目录 +书签 下一章