额，更不愿意一切重来的推倒炉灶。
而且即使在研发157nm的duv光刻机的时候，这两家公司也在多电子束，离子流技术，甚至浸没式光刻技术光刻技术，等等研发领域悄悄的组建了研究机构，并且大量的提前申请布局专利壁垒。
就比如在三年前的99年3月16日，nikon公司就向专利局提交了浸没式光刻技术专利申请，专利名称是“projectionexposuremethodandsystem”。该pct国际公开日是99年9月30日，国际公开号：wo99/49504。
可以说是相当的鸡贼。
包括和asml合作的麻省理工学院（mit）林肯实验室，也在157nmduv上努力的给asml助力。
不过他们研究的方向有别于nikon和canon在纯氮气中进行157nm光波雕刻，而是选择了离子水（纯化水）状态下的157nm浸没实验。
这个实验大致和nikon的浸没式光刻技术专利差不多，都是研究在纯净水状态下157nmduv的雕刻性能。
就在几天前的全球spie微光刻会议上，mit做出研发报告157nm浸没实验的结果。
“在去离子水（纯化水）状态下的浸没实验，157nmduv依然有着在纯氮环境下的诸多问题无法解决。然而对于193nm的曝光是足够透明的，在193nm浸没的情况下157nm问题常见的普遍困难都不存在，几乎等同于现今处于干式介质中193nm步进式光刻机效果。”
mit的这份报告，让现场与会的全球微影领域的顶尖大拿们纷纷失望不已，也就是在这个报告出来了以后，这几天世界微光刻领域对浸没式光刻技术纷纷发表了类似于‘至少现今技术还不成熟’的观点。
这个观点，有着这些微光刻领域专家们的真实的想法，更有着nikon和canon为了能继续保持在这个领域的权威和垄断，以及已经砸进去几十亿美元的游说和新闻引导。
在这个会议上，林博士也参加了这场会议，会议的主持方要求他发言‘浸润式微影技术’。
“由于na已经大于0.9，并且随着na的进一步增加而回报递减，浸没式光刻可能是额外节点的关键。浸没式光刻的关键是具有在光学波长中具有足够的透射性，并且对透镜和抗蚀剂表面是惰性的。开始研究浸没流体是相对便宜的。一旦确定了流体，就必须解决许多问题；即，抗蚀剂的脱气，曝光或扫描过程中流体折射率的不均匀、流